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FS450R12KE3/AGDR-71C Tabla de circuito de control ABB -40°C a 85°C 0 a 20VAC 50V

FS450R12KE3/AGDR-71C Tabla de circuito de control ABB -40°C a 85°C 0 a 20VAC 50V

Detalles del producto:
Lugar de origen: Alemania
Nombre de la marca: ABB
Certificación: CE
Número de modelo: FS450R12KE3/AGDR-71C
Información detallada
Lugar de origen:
Alemania
Nombre de la marca:
ABB
Certificación:
CE
Número de modelo:
FS450R12KE3/AGDR-71C
Voltaje de estado fuera de estado:
0 a 20VAC
Voltaje de aislamiento clasificado:
50V
Serie:
3500
V DC:
24 V DC
voltaje de salida ajustable:
24… 28,8 V
Rango de temperatura de almacenamiento:
-40°C a 85°C
Resaltar:

High Light

Resaltar:

Placa de circuitos de control ABB de -40°C a 85°C

,

Placa de circuito de control de 0 a 20VAC

,

Placas de circuitos ABB con potencia nominal de 50 V

Información Comercial
Cantidad de orden mínima:
1
Precio:
Negociable
Detalles de empaquetado:
Nuevo y Original
Tiempo de entrega:
5-7 días
Condiciones de pago:
T/T, LC/C
Capacidad de la fuente:
100
Descripción de producto

Placa de circuito de control ABB FS450R12KE3/AGDR-71C -40°C a 85°C 0 a 20VAC 50V

 

FS450R12KE3/AGDR-71C Descripción

El ABB FS450R12KE3/AGDR-71C es un módulo IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alta potencia y alto voltaje de la familia HiPak, líder en la industria, que representa una plataforma de tecnología de chips de segunda generación. Es un interruptor de potencia completo y aislado que integra un IGBT y un diodo antiparalelo en una configuración de medio puente dentro de un único paquete robusto. Clasificado para 1200V y 450A, está diseñado para aplicaciones exigentes de conversión de alta potencia que requieren alta eficiencia, robustez y confiabilidad a largo plazo. El módulo presenta chips IGBT de baja pérdida y alta velocidad y un paquete avanzado con diseño de baja inductancia, lo que lo convierte en un componente central en variadores de motor industriales, inversores de energía renovable y sistemas de tracción.

FS450R12KE3/AGDR-71C  Características

  • IGBT de segunda generación de puerta de zanja/parada de campo:​ Incorpora la tecnología SPT+ (Soft Punch Through) o Trench avanzada de ABB, que ofrece un equilibrio óptimo entre bajo voltaje de saturación (VCE(sat)) y bajas pérdidas de conmutación, lo que lleva a una mayor eficiencia del sistema.
  • Paquete HiPak robusto y confiable:​ Presenta el probado paquete HiPak con una placa base robusta y aislada (que proporciona aislamiento eléctrico de hasta varios kV) y terminales de tornillo de alta resistencia para conexiones de alta corriente y baja inductancia. El paquete está diseñado para una excelente capacidad de ciclo térmico.
  • Diseño interno de baja inductancia:​ El diseño interno y la estructura de la barra colectora optimizados minimizan la inductancia parásita, lo cual es fundamental para reducir el sobreimpulso de voltaje durante la conmutación rápida y mejorar la confiabilidad general del sistema.
  • Sensor de temperatura NTC integrado:​ Incluye un termistor de coeficiente de temperatura negativo (NTC) para un monitoreo preciso de la temperatura de la placa base del módulo, lo que permite una gestión y protección térmica avanzadas.
  • Configuración de medio puente:​ Proporciona dos IGBT (cada uno con un diodo antiparalelo empaquetado conjuntamente) en una topología de medio puente, que es el componente fundamental para los inversores de fuente de voltaje (VSI).
  • Alta temperatura de unión de funcionamiento:​ Clasificado para una temperatura de unión máxima (Tvjop) de 150°C, lo que permite diseños de alta densidad de potencia y un funcionamiento confiable en condiciones térmicas exigentes.

FS450R12KE3/AGDR-71C  Materiales, construcción y aplicaciones

  • Materiales:​ Los chips semiconductores son IGBT y diodos basados en silicio. El sustrato es típicamente una capa cerámica de AlN (nitruro de aluminio) o Al2O3(Alúmina) adherida a una placa base de cobre, que proporciona aislamiento eléctrico y conducción térmica. La carcasa es un plástico PPS (sulfuro de polifenileno) robusto. Los terminales son de aleación de cobre.
  • Construcción:​ Un módulo de potencia de última generación con múltiples chips IGBT y diodos conectados en paralelo dentro del paquete. Utiliza tecnología avanzada de soldadura y cable de conexión para la interconexión. Todo el conjunto está sellado herméticamente con un gel de silicona para protegerlo contra la humedad y los contaminantes. La placa base aislada permite un fácil montaje en un disipador de calor común para múltiples módulos.
  • Aplicaciones principales:
    • Variadores industriales de media tensión:​ Como el dispositivo de conmutación principal en inversores para motores de CA de media tensión (a menudo utilizados en topologías multinivel como NPC).
    • Energía renovable:​ Inversores centrales para parques solares y convertidores de turbinas eólicas.
    • Tracción:​ Variadores para autobuses eléctricos e híbridos-eléctricos, tranvías y locomotoras.
    • Fuentes de alimentación:​ Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y sistemas UPS de alta potencia y alta frecuencia.
    • Calentamiento y soldadura industrial:​ Fuentes de alimentación de calentamiento por inducción y soldadura.

FS450R12KE3/AGDR-71C  Especificaciones clave

Parámetro
Especificación
Código de pedido del producto​
FS450R12KE3/AGDR-71C
Tipo de módulo​
Doble / Medio puente (2 en 1)
Tensión nominal (VCES)​
1200 V
Corriente nominal (IC@ Tcase=80°C)​
450 A
Corriente máxima (ICM)​
900 A
Tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat))​
~ 1,85 V (típico, a corriente nominal)
Características de conmutación​
Bajas pérdidas de conmutación (Eon, Eoff) adaptadas para frecuencias típicamente de hasta unos pocos kHz.
Diodo integrado​
Diodo de control de emisor antiparalelo (Emcon) con características de recuperación suave.
Temperatura máxima de unión (Tvj)​
150 °C (funcionamiento), 175 °C (almacenamiento)
Tensión de aislamiento (Visols)​
3600 Vrms/ 50 Hz / 1 min (Placa base a terminales)
Resistencia térmica, unión a caja (Rth(j-c))​
IGBT: ~0,027 K/W (por interruptor)
Diodo: ~0,045 K/W (por diodo)
Tensión puerta-emisor (VGE)​
±20 V (Recomendado: típicamente +15V/-15V)
Sensor de temperatura interno​
Termistor NTC (por ejemplo, 5 kΩ a 25°C)
Par de apriete de montaje (tornillos de terminal)​
Típicamente 4,5 Nm
Peso​
Aproximadamente 320 g
Tecnología del módulo​
IGBT SPT+ / Trench (2ª generación)
Carcasa​
Estándar HiPak (huella de 62 mm x 140 mm)
Montaje​
Montaje con tornillos en el disipador de calor con pasta térmica.
 
 

Nuestros productos de ventaja:

 


[Honeywell]Módulo DCS / PLC


[Emerson]Módulo DeltaV / Servomotor

[ABB]Módulo de entrada y salida


[AB]Módulo / Pantalla táctil


[Rosemount]Transmisor de presión y temperatura


[Yokogawa]Transmisor de presión


[Yaskawa]Servovariador / Servomotor


[Mitsubishi]Servovariador / Servomotor


[GE]PLC de la serie IC69 / Servomotor y variador Fanuc

(Modicon, SMC, SICK, NORGREN, Siemens, etc.)

 

 

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