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Módulo de fuente de alimentación redundante

FF1200R17KE3_B2 INFINEON Módulo de suministro de energía redundante 115-230 VAC 12 VDC a 150 MA

Name: FF1200R17KE3_B2 INFINEON Módulo de suministro de energía redundante 115-230 VAC 12 VDC a 150 MA
Brand: Shenzhen Wisdomlong Technology CO.,LTD
SKU: Se aplicará el método de evaluación de la seguridad de los vehículos.
Price: 10000.00 USD
Availability: InStock

Detalles del producto:

Lugar de origen:	JAPÓN
Nombre de la marca:	INFINEON
Certificación:	CE
Número de modelo:	Se aplicará el método de evaluación de la seguridad de los vehículos.

Información detallada

Lugar de origen:

JAPÓN

Nombre de la marca:

INFINEON

Certificación:

Número de modelo:

Se aplicará el método de evaluación de la seguridad de los vehículos.

Canales entrados:

Potencia de LocalBus:

12 VDC en 150 mA

Longitud del cable:

0.3 m

Calificación actual:

8 AMPERIOS

Dimensiones:

150 mm x 100 mm x 40 mm

voltaje de salida:

12 VCC

Voltaje de funcionamiento:

220 (V)

Voltaje:

115-230 VCA

Resaltar:

High Light

Resaltar:

Módulo de fuente de alimentación redundante Infineon 115-230 VCA

Módulo de fuente de alimentación redundante de 12 VCC

Módulo de fuente de alimentación redundante de 150 MA

Información Comercial

Cantidad de orden mínima:

Precio:

Negociable

Detalles de empaquetado:

Nuevo y Original

Tiempo de entrega:

5-7 días

Condiciones de pago:

T/T, LC/C

Capacidad de la fuente:

100

Descripción de producto

FF1200R17KE3_B2 INFINEON Módulo de fuente de alimentación redundante 115-230 VCA 12 VCC a 150 MA

FF1200R17KE3_B2 Descripción

El FF1200R17KE3_B2 es un módulo IGBT (Transistor Bipolar de Puerta Aislada) de alta potencia y alta eficiencia de Infineon Technologies, diseñado para aplicaciones exigentes de conversión de energía industrial. Como parte de la serie avanzada de IGBT de Infineon, este módulo integra múltiples IGBT y diodos de rueda libre en un único paquete compacto, lo que permite un rendimiento robusto en entornos de alta corriente y alto voltaje. Ofrece conmutación confiable, bajas pérdidas y excelentes características térmicas, lo que lo hace ideal para accionamientos de motores de servicio pesado, inversores de energía renovable y fuentes de alimentación industriales.

FF1200R17KE3_B2 Características

Alta densidad de potencia: Configuración de IGBT dual con diodos antiparalelos en un módulo compacto, que admite altas clasificaciones de corriente y voltaje para diseños con limitaciones de espacio.
Tecnología de baja pérdida: Utiliza tecnología avanzada de chips IGBT y diodos para minimizar las pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia general del sistema.
Alta fiabilidad: El diseño robusto de sustrato cerámico garantiza un excelente aislamiento, capacidad de ciclo térmico y estabilidad operativa a largo plazo.
Fácil montaje: La placa base aislada (variante B2) permite el montaje directo en un disipador de calor común sin aislamiento adicional, simplificando la gestión térmica.
Diseño de baja inductancia: El diseño interno optimizado minimiza la inductancia parásita, mejorando el rendimiento de la conmutación y reduciendo el sobreimpulso de voltaje.
Monitorización de temperatura: El termistor NTC (coeficiente de temperatura negativo) integrado proporciona detección de temperatura en tiempo real para la protección térmica y la monitorización del sistema.

FF1200R17KE3_B2 Material y aplicaciones

Material: El módulo presenta un chipset de IGBT y diodos de silicio de alto rendimiento, sustrato cerámico de nitruro de aluminio (AlN) o Al₂O₃ para aislamiento eléctrico y una placa base de cobre para una disipación de calor eficiente. La carcasa está hecha de plástico PPS (sulfuro de polifenileno), que proporciona resistencia a altas temperaturas y resistencia mecánica.
Aplicaciones principales:
- Accionamientos de motores de alta potencia y servomotores para maquinaria industrial.
- Sistemas de inversores de energía solar y eólica.
- Fuentes de alimentación ininterrumpida (SAI) y equipos de soldadura.
- Sistemas de accionamiento de tracción y ferroviarios.

FF1200R17KE3_B2 Parámetros clave

Parámetro	Especificación
Modelo	FF1200R17KE3_B2
Fabricante	Infineon Technologies
Tipo de módulo	Módulo IGBT dual (2 en 1)
Corriente de colector nominal (Ic @ 25°C)	1200 A
Voltaje máximo colector-emisor (Vces)	1700 V
Voltaje de saturación máximo colector-emisor (Vce(sat))	2,5 V (típico)
Disipación de potencia total máxima (Pt)	6000 W
Voltaje de aislamiento (Visol)	4000 Vrms / 5600 Vcc
Rango de temperatura de la unión (Tvj)	-40°C a +175°C
Peso del módulo	Aprox. 400 g
Tipo de terminal	Terminales de tornillo
Diodo integrado	Sí (diodo antiparalelo de recuperación rápida)
Sensor térmico	Termistor NTC integrado
Montaje	Placa base aislada (variante B2)
Material de la carcasa	Plástico PPS
Par recomendado (terminales)	2,5 Nm
Cumplimiento de normas	Cumple con RoHS, certificado UL

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Las etiquetas:

FF1200R17KE3_B2 INFINEON Módulo de suministro de energía redundante 115-230 VAC 12 VDC a 150 MA

High Light

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Módulo de fuente de alimentación redundante Infineon 115-230 VCA

Módulo de fuente de alimentación redundante de 12 VCC

Módulo de fuente de alimentación redundante de 150 MA

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